量子前瞻获悉，近日，复旦大学周鹏、刘春森团队在国际顶级期刊《科学》上发表了关于“量子闪存”（Quantum Flash）的重磅成果，成功研制出单电子量子闪存器件“归壹”。

该器件实现了“一电子一比特”的量子极限，并在室温下实现了单电子的非易失性存储。

据悉，该团队围绕在单电子存储、室温稳定、高信号与高窗口、低功耗与非易失上实现了历史性的突破。

单电子存储：将存储信息载体从传统的“数十万个电子”压缩至“单个电子”，实现了“一电子一比特”，将电荷存储的信息密度提升至理论极限。

室温稳定：首次在室温（27℃）环境下清晰观测到单电子的非易失性存储行为，打破了单电子存储只能在极低温下观测的传统认知。

高信号与高窗口：通过器件结构优化，单电子注入产生的电压变化（存储窗口）达0.5V，信号强度较早期单电子存储放大近一个数量级，跨过了商业化应用的门槛。

低功耗与非易失：单电子存储功耗降至传统存储器的几万分之一，且数据断电不丢失，完美兼顾了高速、大容量、低功耗与非易失性。

在核心技术原理上，该团队利用二维半导体原子级厚度的天然“囚禁”优势，独创性地提出了自对准平面裁剪方案，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构。

该结构将干扰信号（寄生电容）压制到3%以下，极大增强了量子效应的可观测性。

在理论创新（“态密度剪刀”理论）上，运用在微观世界中引入“零态密度”区间，精准“裁剪”掉不需要的量子态，实现了对单电子量子态的工程化精准操控，揭示了反常量子存储行为。

在应用前景上，该器件能极大降低AI计算中数据搬运的能耗，实现“存算一体”，解决AI算力瓶颈，支持端侧设备（如手机、PC）本地运行大模型，实现更快的响应和更长的上下文记忆。