2024年IEEE国际电子器件会议上，英特尔代工展示了多项技术突破。具体而言，在新材料方面，减成法钌互连技术最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。英特尔代工还率先汇报了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装。此外，为了进一步推动全环绕栅极的微缩，英特尔代工展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管的栅氧化层模块，以提高设备性能。