10月20日，华兴资本旗下华兴新经济基金被投企业纳微半导体成功和特殊收购公司(SPAC)Live Oak Acquisition Corp. II（以下简称“Live Oak II”）合并，并于纳斯达克证券交易所上市，股票代码为NVTS。

据悉，“Live Oak II”是一家空白支票公司 ，其成立的商业目的是与一家或多家企业实施合并、资本股票交换、资产收购、股票购买、重组或开展相似的企业合并行为。

此前在5月份，纳微半导体已宣布将会与“Live Oak II”合并的消息，合并后的纳微实体预估值达14亿美元。6月，纳微半导体与空白支票公司“Live Oak II”宣布向美国证券交易委员会（“SEC”）提交了一份载于S-4表格上的注册声明。其中包含有关2021年5月7日公告的，“Live Oak II”和纳微正在进行的合并交易的委托投票书/招股说明书初稿。

可见纳微的上市从半年前就已开始“铺路”，早就势在必行。不过，纳微为何会选择这个时机进行上市，这是否与当下受疫情影响的市场环境有关，现阶段其业务进展是否稳健？

资料显示，纳微半导体（Navitas）成立于2014年，常年占据氮化镓功率芯片行业领导地位，其团队在材料、器件、应用、系统和市场营销方面合计拥有超300年的经验。现阶段，纳微拥有正在申请的专利130多项，共交付出超2500万颗GaNFast功率芯片，并且从未收到过任何故障报告。

目前，纳微已与全球顶级手机OEM厂商及PC设备制造商展开合作，其中包括戴尔、联想、LG、小米、OPPO等品牌。

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纳微当日收盘价为13.38美元，略低于开盘价13.98美元

上市当天，纳微首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“这是激动人心的一天，也是向整个新一代电源生态系统表示祝贺的好时机，”他表示：“我们的第一个七年见证了纳微知识产权、营业收入、客户数量的急速增长……未来，期待看到纳微加快进入电动汽车领域的步伐。” 

据纳斯达克官网显示，纳微10月20日当天开盘价为13.98美元，最高峰为14.08美元，最低点降低到11.73美元，当日最终收盘价为13.38美元，略低于开盘价。现阶段，其长期走势暂无法判断，仍需持续观察。

那么，从市场方向看，纳微出产的GaNFast功率芯片主要应用于哪些领域，未来在我国的发展前景如何？

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新起之秀：“GaNFast功率芯片”

简单来说，氮化镓功率芯片功能是帮助智能终端缩短充电时间，现阶段主要用在消费电子市场。

由于5G时代的到来，人类用电需求成几何倍攀升。各大电子设备厂商在着手解决设备续航能力的同时，对快充设备也提出别样需求，逐步开始将其进行深度应用并不断推广。

与传统氮化镓功率芯片不同的是，纳微采用集成氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件的方式，能够实现充电速度更快、功率密度更高、节能效果更强的使用效果。与传统硅半导体相比，氮化镓功率芯片具备集成度高、产品体积更小的性能优势。

据Navitas官网资料显示，截止到2021年4月，纳微公司GaNFast功率芯片市场占有率已达到60%，是当之无愧的行业领导者。

而小米65WGaN充电器Type-C 65W采用的就是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，因其使用了GaNFast技术，小米65WGaN充电器只有标准适配器的一半大小。并且，氮化镓功率芯片适用范围颇广，能够用于移动、消费、企业、电动交通和新能源市场。

此外，IHS数据测算结果表示，现阶段，GaN功率器件市场复合增速高达30%。主要增长点在于快充、电源PFC、高频激光雷达和无线充电领域。IHS Markit预测，2024年GaN电力电子器件市场预计将达到6亿美元。未来GaN电力电子器件有可能凭借成本优势，取代价格较高的SiCMOSFET成为2020年代后期逆变器中的首选。

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GaN器件为5G宏基站提供材料置换可能性

朋湖网认为，未来我国GaN器件市场或将呈现高速增长态势。

由于工业4.0的到来，中国新基建建设所带来的能源需求不断攀升，5G基站、新能源汽车、充电桩等能源消耗与日俱增，市场对更高密度、更高速的电力系统需求已是迫在眉睫。

GaN器件的出现满足了种种需求。

首先，GaN高频率、高功率且体积较小，可以减少器件尺寸和晶体管数量，为5G宏基站射频器件材料需求升级提供置换可能性。

其次，GaN具备高功率密度、低功耗、支持宽带等特点。当其运用于消费者设备时，能够更充电更快速；运用于电动汽车时，可以提升其行驶里程。

据Yo le统计，2018年全球3W以上GaN射频器件（不含手机PA）市场规模达到4.57亿美元，在射频器件市场（包含SiLDMOS、GaAs和GaN）的渗透率超过25%，同比提升5个百分点。

此外，根据CASA预估，全球移动通信基站射频功率器件市场规模约10亿美元，国内中兴、华为、大唐总需求约3～4亿美元，GaN渗透率目前约8～12%。所囊括市场范畴持续处于在高速扩展并渗透阶段。

预计在未来，我国将在电子消费、5G基站建设、新能源汽车等多重领域对GaN器件进行使用及推广。

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尾声

核心产业链发展更应该从新型材料角度入手，寻找可持续发展可能性。

GaN这种新型半导体材料相比传统材料而言，应用优势及潜能更为可观。

如若未来得以合理有效利用，该材料将为能源领域、基站建设起到关键性效用。不过，现阶段该材料仍旧处于深入研发拓展阶段，增强、完善其使用效能尤其重要。